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ALD薄膜沉積
基底尺寸2”、4”、6”wafer應(yīng)用領(lǐng)域Al2O3, HfO2, ZrO2、 MoOx、 VOx、 TiO2, SiO2, Al···
15002134279
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基底尺寸2”、4”、6”wafer應(yīng)用領(lǐng)域Al2O3, HfO2, ZrO2、 MoOx、 VOx、 TiO2, SiO2, Al···